सेमीकंडक्टर पर आधारित 12th क्लास के MCQ प्रश्नोत्तर
1) किसी सेमीकंडक्टर में संयोजकता इलेक्ट्रानों की संख्या कितनी होती है?:-
A) 1
B) 4
C) 3
D) 2
Ans:- B) 4
2) किसी सुचालक पदार्थ में संयोजकता इलेक्ट्रानों की संख्या होती है:-
A) 1से 3
B) 3 से 4
C) 4 से 5
D) 0 से 2
Ans:- A) 1 से 3
3) न्यूनतम उर्जा जो किसी इलेक्ट्रान को किसी धातुई सतह से बाहर निकालने के जरूरत होती है, कहलाता है?:-
A) न्यूनतम खींचाव उर्जा
B) प्रकाश वैधुतिकी फलन
C) कार्य फलन (work function)
D) इलेक्ट्रान उर्जा
Ans:- C) कार्य फलन (work function)
4) चाइल्ड के नियम (Child's law) के अनुसार डायोड में प्रवाहित धारा iₚ होंगे:-
A) iₚ = AEₚ⅔
B) iₚ = AEₚ²
C) iₚ = AEₚ¾
D) iₚ = AEₚ3/2
Ans:- D) iₚ = AEₚ3/2
5) डायोड में होते हैं?:-
A) 1 इलेक्ट्रोड
B) 2 इलेक्ट्रोड
C) 3 इलेक्ट्रोड
D) 4 इलेक्ट्रोड
Ans:- B) 2 इलेक्ट्रोड
6) A एक कुचालक पदार्थ है। इसमें संयोजकता इलेक्ट्रानों की संख्या हो सकती है:-
A) 7
B) 1
C) 3
D) 4
Ans:- A) 7
7) निम्नलिखित में से कौन कुचालक पदार्थ है?:-
A) क्वार्ट्ज
B) अभ्रक
C) सल्फर
D) उपर्युक्त तीनों।
Ans:- D) उपर्युक्त तीनों।
8) सेमीकंडक्टर के संबंध में डॉपिंग (doping) क्या होता है?:-
A) सेमीकंडक्टर को गर्म करना।
B) सेमीकंडक्टर की चालकता को बढ़ाने के लिए कुछ अपद्रव्य को उसके साथ मिलाना।
C) सेमीकंडक्टर को आवेशित करना।
D) सेमीकंडक्टर से इलेक्ट्रानों को बाहर निकालना।
Ans:- B) सेमीकंडक्टर की चालकता को बढ़ाने के लिए कुछ अपद्रव्य को उसके साथ मिलाना।
9) N-टाइप सेमीकंडक्टर प्राप्त करने के लिए जर्मेनियम को किसके साथ मिलाना चाहिए?:-
A) ऐसे तत्व जिनकी संयोजकता 1 हो।
B) ऐसे तत्व जिनकी संयोजकता 3 हो।
C) ऐसे तत्व जिनकी संयोजकता 8 हो।
D) ऐसे तत्व जिनकी संयोजकता 5 हो।
Ans:- D) ऐसे तत्व जिनकी संयोजकता 5 हो।
10) P-टाइप सेमीकंडक्टर को प्राप्त करने के लिए जर्मेनियम को किसके साथ मिलाना चाहिए?:-
A) ऐसे तत्व जिनकी संयोजकता 1 हो।
B) ऐसे तत्व जिनकी संयोजकता 3 हो।
C) ऐसे तत्व जिनकी संयोजकता 8 हो।
D) ऐसे तत्व जिनकी संयोजकता 5 हो
Ans:- B) ऐसे तत्व जिनकी संयोजकता 3 हो।
11) जब जर्मेनियम क्रिस्टल को आर्सेनिक क्रिस्टल के साथ डॉपिंग किया जाता है तो हमें किस तरह का अर्धचालक प्राप्त होता है?:-
A) साधारण सेमीकंडक्टर
B) P-टाइप सेमीकंडक्टर
C) N-टाइप सेमीकंडक्टर
D) इनमें से कोई नहीं।
Ans:- C) N-टाइप सेमीकंडक्टर
12) N-टाइप सेमीकंडक्टर में विधुत चालन किसके कारण होते हैं?:-
A) इलेक्ट्रान
B) कोटर (holes)
C) प्रोटान
D) न्यूट्रान
Ans:- A) इलेक्ट्रान
13) P- टाइप सेमीकंडक्टर में विधुत चालन किसके कारण होते हैं?:-
A) इलेक्ट्रान
B) कोटर (holes)
C) प्रोटान
D) न्यूट्रान
Ans:- B) कोटर (holes)
14) कोटर(holes) में किस तरह का आवेश होते हैं?:-
A) ऋणात्मक
B) धनात्मक
C) ऋणात्मक और धनात्मक दोनों।
D) उदासीन
Ans:- B) धनात्मक
15) LED का पूरा नाम क्या होता है?:-
A) Light Emitting Device
B) Light Emitting Display
C) Light Emitter Display
D) Light Emitting Diode
Ans:- D) Light Emitting Diode
16) N-टाइप सेमीकंडक्टर में किस तरह का आवेश होते हैं?:-
A) ऋणावेश
B) धनावेश
C) ऋणावेश अधिक और धनावेश कम।
D) कोई आवेश नहीं होते हैं।
Ans:- D) कोई आवेश नहीं होते हैं।
17) निम्नलिखित में से कौन सा यंत्र टेलीविजन आदि में a.c धारा को d.c धारा में बदलता है?:-
A) डायोड
B) ट्रांजिस्टर
C) ऋजुकारी(rectifier)
D) रेजिस्टार(resistor)
Ans:- C) ऋजुकारी(rectifier)
18) निम्नलिखित में से कौन ऋजुकारी(rectifier) की दक्षता (efficiency of rectifier) को दर्शाता है?:-
A) 𝛄 = (a.c धारा की मात्रा)/(d.c धारा की मात्रा)
B) 𝛄 = a.c धारा की मात्रा × d.c धारा की मात्रा
C) 𝛄 = (d.c धारा की मात्रा)/(a.c धारा की मात्रा)
D) 𝛄 = a.c धारा की मात्रा + d.c धारा की मात्रा
Ans:- C) 𝛄 = (d.c धारा की मात्रा)/(a.c धारा की मात्रा)
19) ट्रांजिस्टर में संग्राहक(collector) को:-
A) अग्राभिनत(forward biasing) किया जाता है।
B) उत्क्रामाभिनत(reversed biasing) किया जाता है।
Ans:- B) उत्क्रामाभिनत(reversed biasing) किया जाता है।
20) अग्राभिनत(forward biasing) करने पर p-n संधि का प्रतिरोध:-
A) कम हो जाता है।
B) बढ़ जाता है।
C) अपरिवर्तित रहता है।
D) की गुना बढ़ जाता है।
Ans:- A) कम हो जाता है।
21) अग्राभिनत(forward biasing) में p-टाइप क्रिस्टल को बैटरी के:-
A) धन सिरे से जोड़ा जाता है।
B) ऋण सिरे से जोड़ा जाता है।
Ans:- A) धन सिरे से जोड़ा जाता है।
22) ट्रांजिस्टर के उत्सर्जक(Emitter) को :-
A) अग्राभिनत(forward biasing) किया जाता है।
B) उत्क्रामाभिनत(reversed biasing) किया जाता है।
C) कोई अभिनत(biasing) नहीं किया जाता है।
D) इनमें से कोई नहीं।
Ans:- A) अग्राभिनत(forward biasing) किया जाता है।
23) जेनर डायोड(Zener diode) किस सिद्धांत पर काम करता है?:-
A) निम्न अग्राभिनत
B) उच्च अग्राभिनत
C) उच्च उत्क्रामाभिनत(high reversed biasing)
D) इनमें से कोई नहीं।
Ans:- C) उच्च उत्क्रामाभिनत ( high reversed biasing)
24) जब हम n-p-n ट्रांजिस्टर को एम्प्लीफायर(amplifier) की तरह उपयोग करते हैं तो:-
A) इलेक्ट्रान आधार से संग्राहक की ओर जाते हैं।
B) इलेक्ट्रान संग्राहक से आधार की ओर गमन करते हैं।
C) कोटर (holes) आधार से उत्सर्जक की ओर गमन करते हैं।
D) इनमें से कोई नहीं।
Ans:- A) इलेक्ट्रान आधार से संग्राहक की ओर जाते हैं।
25) p-n संधि में:-
A) n भाग पर निम्न विभव और p भाग पर उच्च विभव होते हैं।
B) n भाग पर उच्च विभव और p भाग पर निम्न विभव होते हैं।
C) n और p दोनों भाग पर समान विभव होते हैं।
D) n भाग पर विभव शून्य होते हैं।
Ans:- B) n भाग पर उच्च और p भाग पर निम्न विभव होते हैं।
26) ट्रांजिस्टर को एम्प्लीफायर की तरह उपयोग करने के लिए:-
A) उत्सर्जक-आधार संधि को अग्राभिनत(forward biasing) किया जाता है।
B) उत्सर्जक-आधार संधि को reversed biasing किया जाता है।
C) संग्राहक-आधार संधि को reversed biasing किया जाता है।
D) (A) और (B)
Ans:- D) (A) और (C)
27) Forward biasing पर p-n संधि डायोड का विभव बाधक (potential barrier) की चौड़ाई:-
A) बढ़ती है।
B) घटती है।
C) अपरिवर्तित रहता है।
D) घट या बढ़ सकती है।
Ans:- B) घटती है।
28) डायोड को rectifier के रूप में उपयोग किया जा सकता है?:-
A) हां
B) नहीं
Ans:- A) हां
29) किसी ट्रांजिस्टर के ɑ और β मान के बीच निम्न संबंध होता है:-
A) ɑ = 1 + β
B) β = ɑ÷(1 + ɑ)
C) ɑ = β ÷ (1 + β)
D) β² = ɑ³
Ans:- C) ɑ = β ÷ (1 + β)
30) सौर सेल को बनाने में किसका किसका उपयोग किया जाता है?
A) लोहा
B) तांबा
C) टाइटेनियम
D) सिलिकॉन
Ans:- D) सिलिकॉन
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